STMicroelectronics N型沟道 MOSFET, Vds=100 V, 110 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, STP150N10F7AG
- RS 库存编号:
- 235-5446
- 制造商零件编号:
- STP150N10F7AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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| 150 - 200 | RMB22.161 | RMB1,108.05 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 235-5446
- 制造商零件编号:
- STP150N10F7AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 110A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.2mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 250W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 127nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 110A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.2mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 250W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 127nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
STMicroelectronics N 通道功率 MOSFET 利用 STripFET F7 技术，具有增强型沟道栅极结构，可产生非常低的通态电阻，同时还可减少内部电容和栅极电荷，实现更快，更高效的切换。
175°C 接点温度
标准级别 VGS (th)
设计用于汽车应用
100% 雪崩等级
应用
开关应用