制造商编号

STMicroelectronics N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=110 A, 3针, TO-220

RS 库存编号:: 235-5448
制造商零件编号:: STP150N10F7AG
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=110 A, 3针, TO-220

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RS 库存编号:: 235-5448
制造商零件编号:: STP150N10F7AG
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	110A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	TO-220
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	4.2mΩ
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	127nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	250W
	正向电压 Vf	1.2V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 110A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 TO-220
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 4.2mΩ
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 127nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 250W
	正向电压 Vf 1.2V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - STP150N10F7AG

STMicroelectronics N 通道功率 MOSFET 利用 STripFET F7 技术，具有增强型沟道栅极结构，可产生非常低的通态电阻，同时还可减少内部电容和栅极电荷，实现更快，更高效的切换。

175°C 接点温度

标准级别 VGS (th)

设计用于汽车应用

100% 雪崩等级

应用

开关应用

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