Toshiba N型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 3.5 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SSM3K329R,LF(T
- RS 库存编号:
- 236-3575
- 制造商零件编号:
- SSM3K329R,LF(T
- 制造商:
- Toshiba
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB1.353 | RMB67.65 |
| 100 - 200 | RMB1.319 | RMB65.95 |
| 250 - 450 | RMB1.286 | RMB64.30 |
| 500 - 950 | RMB1.254 | RMB62.70 |
| 1000 + | RMB1.223 | RMB61.15 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 236-3575
- 制造商零件编号:
- SSM3K329R,LF(T
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 289mΩ | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | |
| 正向电压 Vf | -0.9V | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 宽度 | 2.9 mm | |
| 长度 | 2.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 3.5A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 289mΩ | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.5nC | ||
最大栅源电压 Vgs 12 V | ||
正向电压 Vf -0.9V | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 0.8mm | ||
宽度 2.9 mm | ||
长度 2.4mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Toshiba 场效应晶体管由硅材料制成，具有 N 沟道 MOS 型。它主要用于电源管理切换和高速切换应用。
存储温度范围 −55 至 150 °C