Toshiba N沟道MOSFET, Vds=30 V, Id=3.5 A, 3针, SOT-23

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包装方式：
RS 库存编号:
236-3575
制造商零件编号:
SSM3K329R,LF(T
制造商:
Toshiba
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品牌

Toshiba

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

3.5A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

289mΩ

最大栅源电压 Vgs

12V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

2W

正向电压 Vf

-0.9V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

1.5nC

最高工作温度

150°C

宽度

2.9mm

长度

2.4mm

高度

0.8mm

标准/认证

No

汽车标准

否

Toshiba 场效应晶体管由硅材料制成，具有 N 沟道 MOS 型。它主要用于电源管理切换和高速切换应用。

存储温度范围 −55 至 150 °C

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