Toshiba N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=3.5 A, 3针, SOT-23

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 卷，共 3000 件）*

RMB5,853.00

(不含税)

RMB6,615.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 在 2027年2月10日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
每卷*
3000 - 3000RMB1.951RMB5,853.00
6000 - 6000RMB1.896RMB5,688.00
9000 +RMB1.856RMB5,568.00

* 参考价格

RS 库存编号:
171-2403
制造商零件编号:
SSM3K361R,LF(B
制造商:
Toshiba
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Toshiba

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

3.5A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

SOT-23

安装类型

表面安装

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

92mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

2.4W

正向电压 Vf

1.5V

晶体管配置

单

最高工作温度

175°C

长度

2.9mm

宽度

1.8mm

高度

0.7mm

每片芯片元件数目

1

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
TH
电源管理开关

直流 - 直流转换器

175 MOSFET

4.5 V 驱动

低漏-源通态电阻

RDS（接通）= 65 mΩ（典型值）(@VGS = 4.5 V)

RDS（接通）= 51 mΩ（典型值）(@ VGS = 10 V)

相关链接