Vishay P型沟道 MOSFET, Vds=20 V, 9 A, PowerPAK SC-70, 表面安装, SIA4265EDJ-T1-GE3, SIA系列
- RS 库存编号:
- 239-5367
- 制造商零件编号:
- SIA4265EDJ-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 239-5367
- 制造商零件编号:
- SIA4265EDJ-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | PowerPAK SC-70 | |
| 系列 | SIA | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.032Ω | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±8 V | |
| 最大功耗 Pd | 15.6W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 13.8nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 9A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 PowerPAK SC-70 | ||
系列 SIA | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.032Ω | ||
最大栅源电压 Vgs ±8 V | ||
最大功耗 Pd 15.6W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13.8nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
这款 Vishay P 沟道 MOSFET 的漏极电流为 -9 A，用于负载开关、电池开关、充电器开关
100 % Rg 测试
热增强型 PowerPAK® SC-70 封装
占用面积小
低导通电阻
典型 ESD 保护：3000 V（人体模型）