制造商编号

Vishay N沟道MOSFET, Vds=80 V, Id=78.4 A, 8针, PowerPAK SO-8, SiR系列

RS 库存编号:: 239-5391
制造商零件编号:: SiR586DP-T1-RE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道MOSFET, Vds=80 V, Id=78.4 A, 8针, PowerPAK SO-8, SiR系列

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RS 库存编号:: 239-5391
制造商零件编号:: SiR586DP-T1-RE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	78.4A
	最大漏源电压 Vd	80V
	系列	SiR
	包装类型	PowerPAK SO-8
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.0058Ω
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	19.1nC
	最大功耗 Pd	71.4W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	宽度	5.15mm
	长度	6.15mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 78.4A
	最大漏源电压 Vd 80V
	系列 SiR
	包装类型 PowerPAK SO-8
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.0058Ω
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19.1nC
	最大功耗 Pd 71.4W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	宽度 5.15mm
	长度 6.15mm
	汽车标准否

Datasheet - SiR586DP-T1-RE3

这款 Vishay TrenchFET N 沟道功率 MOSFET 的漏极电流为 78.4 A，用于同步整流、初级侧开关、直流/直流转换器和电机驱动开关。

极低的 RDS x Qg 品质因数（FOM）

经过调谐，适合最低的 RDS x Qoss FOM

100 % Rg 和 UIS 测试

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