Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 87 A, PowerPAK 1212-8PT, 表面安装, 8引脚, SiSA12BDN-T1-GE3, SIS系列
- RS 库存编号:
- 239-5400
- 制造商零件编号:
- SiSA12BDN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
¥49.90
(不含税)
¥56.40
(含税)
暂时缺货
- 5,990 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB4.99 | RMB49.90 |
| 50 - 90 | RMB4.84 | RMB48.40 |
| 100 - 240 | RMB4.694 | RMB46.94 |
| 250 - 990 | RMB4.554 | RMB45.54 |
| 1000 + | RMB4.417 | RMB44.17 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 239-5400
- 制造商零件编号:
- SiSA12BDN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 87A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | SIS | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212-8PT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0043Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 52W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 宽度 | 3.3 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 87A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 SIS | ||
包装类型 PowerPAK 1212-8PT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0043Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 52W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3.3mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 0.75mm | ||
宽度 3.3 mm | ||
汽车标准 否 | ||
这款 Vishay N 沟道 MOSFET 的漏极电流为 87 A，用于大功率密度直流/直流转换、同步整流、VRM 和嵌入式直流/直流转换、电池保护
100 % Rg 和 UIS 测试