Microchip P型沟道增强型 MOSFET, Vds=-60 V, -640 mA, TO-92, 通孔安装, 3引脚, VP2206系列

RS 库存编号:: 239-5621P
制造商零件编号:: VP2206N3-G
制造商:: Microchip

Microchip P型沟道增强型 MOSFET, Vds=-60 V, -640 mA, TO-92, 通孔安装, 3引脚, VP2206系列

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Microchip
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	P型
	最大连续漏极电流 Id	-640mA
	最大漏源电压 Vd	-60V
	包装类型	TO-92
	系列	VP2206
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.9Ω
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	30V
	最大功耗 Pd	0.74W
	正向电压 Vf	1.8V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Microchip
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 P型
	最大连续漏极电流 Id -640mA
	最大漏源电压 Vd -60V
	包装类型 TO-92
	系列 VP2206
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.9Ω
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 30V
	最大功耗 Pd 0.74W
	正向电压 Vf 1.8V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - VP2206N3-G

Microchip VP2206 系列是增强型 (常闭) 晶体管，采用垂直 DMOS 结构和 Supertex 久经考验的硅栅极制造工艺。该组合可使设备具有双极性晶体管的功率处理能力，以及 MOS 设备固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特性确保该设备能够免受热耗散和热感应次级击穿的影响。这些垂直 DMOS FET 特别适用于需要极低阈值电压，高击穿电压，高输入阻抗，低输入电容和快速切换速度的各种切换和放大应用。

它具有 " 无二级故障 "

它具有低功率驱动要求

它提供易于并联，低 CISS 和快速切换速度

它具有高输入阻抗和高增益，具有出色的热稳定性

它具有一体式源极 - 漏极二极管

Microchip P型沟道增强型 MOSFET, Vds=-60 V, -640 mA, TO-92, 通孔安装, 3引脚, VP2206系列

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

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