Vishay N型沟道消耗型功率 MOSFET, Vds=850 V, 6 A, TO-220, 表面安装, 3引脚, SIHA15N80AEF-GE3, EF系列

RS 库存编号:: 239-8619
制造商零件编号:: SIHA15N80AEF-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道消耗型功率 MOSFET, Vds=850 V, 6 A, TO-220, 表面安装, 3引脚, SIHA15N80AEF-GE3, EF系列

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制造商零件编号:: SIHA15N80AEF-GE3
制造商:: Vishay

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	功率 MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	6A
	最大漏源电压 Vd	850V
	包装类型	TO-220
	系列	EF
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.35Ω
	通道模式	消耗
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	54nC
	最大栅源电压 Vgs	30V
	最大功耗 Pd	33W
	正向电压 Vf	1.2V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	+150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型功率 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 6A
	最大漏源电压 Vd 850V
	包装类型 TO-220
	系列 EF
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.35Ω
	通道模式消耗
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 54nC
	最大栅源电压 Vgs 30V
	最大功耗 Pd 33W
	正向电压 Vf 1.2V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 +150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - SIHA15N80AEF-GE3

Vishay EF 系列功率 MOSFET,850 V 漏源电压,6 A 连续漏电流 - SIHA15N80AEF-GE3

此功率 MOSFET 是一款高电压开关晶体管,专为严苛的电子和汽车环境而设计。它可用作坚固的 TO-220 表面封装的 N 通道消耗设备,设计用于处理高电压和温度,同时与标准栅极驱动水平接口。

特性和优点：

• 850V 排放额定值可实现高电压开关应用 • 6 A 连续漏电流支持中等负载电流 • 33W 功耗可实现持久的热处理 • 0.35 Ω Rds(on) 可减少负载下的传导损耗 • 54 nC 典型栅极电荷允许受控的开关动态 • 30 V 最大栅极容差可防止栅极过电压

应用

• 适用于工业自动化领域的高压电源 • 适用于需要符合AEC‐Q101标准的汽车子系统 • 用于需要坚固开关设备的电机控制电路 • 可用于电气系统中的直流-直流转换器 • 与机电设备中的高压变频器级配合使用

此设备在操作过程中可承受哪些极端温度?

它可在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内工作,可在恶劣的热环境中使用。

该设备如何安装和集成到组件中?

它采用TO-220表面贴装封装,带三个引脚,可直接通过面板或连接到散热器进行安装。

为环境指令提供哪种防护等级?

该组件符合 RoHS 标准,表明材料符合限制有害物质标准。

栅极规格对驱动电路有何影响?

该栅极可接受高达 30 V 的电压,因此驱动器级应设计为保持在此限值范围内,以避免栅极应力。

Vishay N型沟道 消耗型 功率 MOSFET, Vds=850 V, 6 A, TO-220, 表面安装, 3引脚, SIHA15N80AEF-GE3, EF系列

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