Vishay N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=850 V, 6 A, TO-220, 表面安装, 3引脚, SIHA15N80AEF-GE3, EF系列
- RS 库存编号:
- 239-8620
- 制造商零件编号:
- SIHA15N80AEF-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥66.52
(不含税)
¥75.17
(含税)
有库存
- 970 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB13.304 | RMB66.52 |
| 10 - 20 | RMB13.042 | RMB65.21 |
| 25 - 95 | RMB12.776 | RMB63.88 |
| 100 - 495 | RMB12.526 | RMB62.63 |
| 500 + | RMB12.076 | RMB60.38 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 239-8620
- 制造商零件编号:
- SIHA15N80AEF-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 850V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | EF | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.31Ω | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 47nC | |
| 最大功耗 Pd | 33W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 125°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 6A | ||
最大漏源电压 Vd 850V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 EF | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.31Ω | ||
通道模式 消耗 | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 47nC | ||
最大功耗 Pd 33W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 125°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Vishay EF 系列是功率 MOSFET，带快速主体二极管。此 MOSFET 用于服务器和电信电源、焊接和电动机驱动。
低效益系数
低有效电容
低切换和传导损耗