制造商编号

Vishay N沟道耗尽型MOSFET, Vds=60 V, Id=84.8 A, 8针, PowerPAK SO-8

RS 库存编号:: 239-8649
制造商零件编号:: SiR514DP-T1-RE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道耗尽型MOSFET, Vds=60 V, Id=84.8 A, 8针, PowerPAK SO-8

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RS 库存编号:: 239-8649
制造商零件编号:: SiR514DP-T1-RE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	84.8A
	最大漏源电压 Vd	60V
	包装类型	PowerPAK SO-8
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.01Ω
	通道模式	耗尽
	最大功耗 Pd	83W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	56nC
	最高工作温度	125°C
	标准/认证	No
	宽度	5.15mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 84.8A
	最大漏源电压 Vd 60V
	包装类型 PowerPAK SO-8
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.01Ω
	通道模式耗尽
	最大功耗 Pd 83W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 56nC
	最高工作温度 125°C
	标准/认证 No
	宽度 5.15mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - SiR514DP-T1-RE3

Vishay TrenchFET® 是 Gen IV 功率 N 通道 MOSFET，可在 100 V 下工作。此 MOSFET 用于电源、电动机驱动控制和同步整流。

超低电阻

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