Vishay N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=60 V, 42.4 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚, SIR576DP-T1-RE3
- RS 库存编号:
- 239-8656
- 制造商零件编号:
- SIR576DP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 包，共 10 件）*
RMB100.01
(不含税)
RMB113.01
(含税)
有库存
- 另外 4,580 件在 2026年7月27日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB10.001 | RMB100.01 |
| 50 - 90 | RMB9.822 | RMB98.22 |
| 100 - 240 | RMB9.646 | RMB96.46 |
| 250 - 990 | RMB9.469 | RMB94.69 |
| 1000 + | RMB9.299 | RMB92.99 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 239-8656
- 制造商零件编号:
- SIR576DP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 42.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | PowerPAK SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.02Ω | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 最大功耗 Pd | 83W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 56nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 125°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 42.4A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 PowerPAK SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.02Ω | ||
通道模式 消耗 | ||
最大功耗 Pd 83W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 56nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 125°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Vishay TrenchFET® 是汽车第 IV 代功率 N 通道 MOSFET，可在 150 V 下工作。此 MOSFET 用于电源、电动机驱动控制和同步整流。
超低电阻
UIS 测试