Vishay N沟道耗尽型MOSFET, Vds=30 V, Id=445 A, 4针, PowerPAK (8x8L)

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RS 库存编号:
239-8679
制造商零件编号:
SQJQ150E-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

445A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

PowerPAK (8x8L)

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

0.0019Ω

通道模式

耗尽

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

43nC

最大功耗 Pd

255W

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

125°C

标准/认证

No

宽度

4.9mm

长度

6.15mm

汽车标准

AEC-Q101

Vishay SQJQ 是汽车 N 通道 MOSFET，可在 40 V 和 175 °C 温度下工作。此 MOSFET 用于高功率密度。

AEC-Q101 认证

UIS 测试

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