Nexperia , 2 N型沟道 MOSFET, Vds=40 V, 98 A, LFPAK56D, 表面安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 240-1813
- 制造商零件编号:
- BUK7V4R2-40HX
- 制造商:
- Nexperia
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 240-1813
- 制造商零件编号:
- BUK7V4R2-40HX
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 98A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | LFPAK56D | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.2mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 85W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 98A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 LFPAK56D | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.2mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 85W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
Nexperia 双标准电平 N 通道 MOSFET 采用 LFPAK56D 封装 (半桥配置) ，采用 Trench 9 Trench MOS 技术。此产品设计符合 AEC-Q101 标准。
LFPAK56D 封装启用半桥配置
减少印刷电路板布局复杂性
通过减少 3 相电动机驱动器的组件占用空间，实现印刷电路板收缩
由于优化了封装设计，改进了系统级 Rth (j-amb)
更低的寄生电感，支持更高的效率
与 LFPAK56D 双封装尺寸兼容
Advanced AEC-Q101 级 Trench 9 硅技术
低功率损耗，高功率密度
卓越的耐雪崩性能
重复性耐雪崩等级