Nexperia N沟道MOS管, Vds=40 V, 42 A, LFPAK56D, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 240-1822
- 制造商零件编号:
- BUK9V13-40HX
- 制造商:
- Nexperia
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB7.836 | RMB39.18 |
| 50 - 95 | RMB7.698 | RMB38.49 |
| 100 - 245 | RMB7.556 | RMB37.78 |
| 250 - 495 | RMB7.422 | RMB37.11 |
| 500 + | RMB7.286 | RMB36.43 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 240-1822
- 制造商零件编号:
- BUK9V13-40HX
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 42 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 封装类型 | LFPAK56D | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 42 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
封装类型 LFPAK56D | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
Nexperia 双路逻辑电平 N 通道 MOSFET 采用 LFPAK56D 封装 (半桥配置) ,采用 Trench 9 Trench MOS 技术。此产品设计符合 AEC-Q101 标准。
LFPAK56D 封装启用半桥配置
减少印刷电路板布局复杂性
通过减少 3 相电动机驱动器的组件占用空间,实现印刷电路板收缩
由于优化了封装设计,改进了系统级 Rth (j-amb)
更低的寄生电感,支持更高的效率
与 LFPAK56D 双封装尺寸兼容
Advanced AEC-Q101 级 Trench 9 硅技术
低功率损耗,高功率密度
卓越的耐雪崩性能
重复性耐雪崩等级
减少印刷电路板布局复杂性
通过减少 3 相电动机驱动器的组件占用空间,实现印刷电路板收缩
由于优化了封装设计,改进了系统级 Rth (j-amb)
更低的寄生电感,支持更高的效率
与 LFPAK56D 双封装尺寸兼容
Advanced AEC-Q101 级 Trench 9 硅技术
低功率损耗,高功率密度
卓越的耐雪崩性能
重复性耐雪崩等级
