Nexperia , 2 N型沟道 MOSFET, Vds=40 V, 18.2 A, LFPAK56D, 表面安装, 8引脚, BUK9K25-40RAX

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包装方式:
RS 库存编号:
240-1819
制造商零件编号:
BUK9K25-40RAX
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

18.2A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

LFPAK56D

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

29mΩ

最大功耗 Pd

32W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6.3nC

最大栅源电压 Vgs

-15 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

每片芯片元件数目

2

汽车标准

Nexperia 双逻辑电平 N 通道 MOSFET 采用 LFPAK56D 封装,使用特定应用 (ASFET) 重复雪崩硅技术。此产品设计符合 AEC-Q101 标准,适用于重复性雪崩应用。

175 °C 时完全符合 AEC-Q101 标准

重复雪崩额定值为 30 °C Tj 上升

经测试可耐受 1 BN 雪崩事件

LFPAK 铜夹封装技术

高坚固性和可靠性

Gull 翼形引线,用于高可制造性和 AOI