ROHM N沟道MOSFET, Vds=60 V, Id=10.3 A, 8针, HUML2020L8, RF4L系列
- RS 库存编号:
- 241-2264
- 制造商零件编号:
- RF4L070BGTCR
- 制造商:
- ROHM
暂时无法供应
抱歉，我们不知道何时会有货
- RS 库存编号:
- 241-2264
- 制造商零件编号:
- RF4L070BGTCR
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | RF4L | |
| 包装类型 | HUML2020L8 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.7mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 10.3A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 RF4L | ||
包装类型 HUML2020L8 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.7mΩ | ||
通道模式 N | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.6nC | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM RF4G100BG 是具有低接通电阻的功率 MOSFET ，适用于开关应用。
低接通电阻
高功率小型模制包装 HUML2020L8.
无铅电镀，符合 RoHS 标准
无卤素
相关链接
- ROHM N沟道 N型 MOSFET, Vds=60 V, 10.3 A, HUML2020L8, 8引脚, RF4L070BGTCR, RF4L系列
- ROHM N沟道 N型 MOSFET, Vds=40 V, 10.3 A, HUML2020L8, 8引脚, RF4G100BGTCR, RF4G100BG系列
- ROHM N沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 6 A, HUML2020L8, 表面安装, 8引脚, RF4P060BGTCR, RF4P060BG系列
- ROHM N沟道 N型 MOSFET, Vds=40 V, 10.3 A, HUML2020L8, 8引脚, RF4G100BG系列
- ROHM N沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, TUMT6, 表面安装, 6引脚, RF6L025BGTCR, RF6系列
- ROHM P型, N型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 4 A, HUML2020L8, 表面安装, UT6MA2TCR
- ROHM , 2 N沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, HUML2020L8, 表面安装, 8引脚, UT6系列, UT6KE5TCR
- ROHM , 2 P型, N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, HUML2020L8, 表面安装, 8引脚, UT6系列, UT6ME5TCR