制造商编号

ROHM N沟道MOSFET, Vds=60 V, Id=10.3 A, 8针, HUML2020L8, RF4L系列

RS 库存编号:: 241-2265
制造商零件编号:: RF4L070BGTCR
制造商:: ROHM

ROHM N沟道MOSFET, Vds=60 V, Id=10.3 A, 8针, HUML2020L8, RF4L系列

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RS 库存编号:: 241-2265
制造商零件编号:: RF4L070BGTCR
制造商:: ROHM

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	ROHM
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	10.3A
	最大漏源电压 Vd	60V
	包装类型	HUML2020L8
	系列	RF4L
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	2.7mΩ
	通道模式	N
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	7.6nC
	最大功耗 Pd	81W
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 ROHM
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 10.3A
	最大漏源电压 Vd 60V
	包装类型 HUML2020L8
	系列 RF4L
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 2.7mΩ
	通道模式 N
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.6nC
	最大功耗 Pd 81W
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - RF4L070BGTCR

ROHM RF4G100BG 是具有低接通电阻的功率 MOSFET ，适用于开关应用。

低接通电阻

高功率小型模制包装 HUML2020L8.

无铅电镀，符合 RoHS 标准

无卤素

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