制造商编号

Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=381 A, 8针, SuperSO8 5 x 6, BSC0系列

RS 库存编号:: 241-9690
制造商零件编号:: BSC022N04LS6ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=381 A, 8针, SuperSO8 5 x 6, BSC0系列

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10 - 98	RMB16.485	RMB32.97
100 - 248	RMB16.08	RMB32.16
250 - 498	RMB15.695	RMB31.39
500 +	RMB15.325	RMB30.65

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RS 库存编号:: 241-9690
制造商零件编号:: BSC022N04LS6ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	381A
	最大漏源电压 Vd	40V
	包装类型	SuperSO8 5 x 6
	系列	BSC0
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.7mΩ
	通道模式	N
	最大功耗 Pd	81W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 381A
	最大漏源电压 Vd 40V
	包装类型 SuperSO8 5 x 6
	系列 BSC0
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.7mΩ
	通道模式 N
	最大功耗 Pd 81W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - BSC022N04LS6ATMA1

英飞凌 OptiMOS 6 功率晶体管是 N 沟道 MOSFET，经优化用于同步应用。经过 100% 雪崩测试。

非常低的接通电阻

符合 IEC61249-2-21 无卤素标准

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