制造商编号

Infineon , 2 N型沟道 MOSFET, Vds=40 V, 20 A, SuperSO8 5 x 6, 8引脚, BSC072N04LD系列, BSC072N04LDATMA1

RS 库存编号:: 241-9695
制造商零件编号:: BSC072N04LDATMA1
制造商:: Infineon

Infineon , 2 N型沟道 MOSFET, Vds=40 V, 20 A, SuperSO8 5 x 6, 8引脚, BSC072N04LD系列, BSC072N04LDATMA1

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 包，共 2 件）*

RMB26.81

(不含税)

RMB30.296

4,486 件将从其他地点发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	每包*
2 - 8	RMB13.405	RMB26.81
10 - 98	RMB13.09	RMB26.18
100 - 248	RMB12.775	RMB25.55
250 - 498	RMB12.465	RMB24.93
500 +	RMB12.17	RMB24.34

* 参考价格

RS 库存编号:: 241-9695
制造商零件编号:: BSC072N04LDATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	20A
	最大漏源电压 Vd	40V
	系列	BSC072N04LD
	包装类型	SuperSO8 5 x 6
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	7.2mΩ
	最大功耗 Pd	65W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	52nC
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	IEC climatic Category, DIN IEC 68-1:55/175/56
	每片芯片元件数目	2
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 20A
	最大漏源电压 Vd 40V
	系列 BSC072N04LD
	包装类型 SuperSO8 5 x 6
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 7.2mΩ
	最大功耗 Pd 65W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 52nC
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 IEC climatic Category, DIN IEC 68-1:55/175/56
	每片芯片元件数目 2
	汽车标准否

Datasheet - BSC072N04LDATMA1

英飞凌 OptiMOS T2 功率晶体管是具有优异热阻的 N 沟道 MOSFET。符合 IEC61249-2-21 无卤素标准。

适用于 SMPS 的快速切换 MOSFET

同步整流优化技术

Infineon , 2 N型沟道 MOSFET, Vds=40 V, 20 A, SuperSO8 5 x 6, 8引脚, BSC072N04LD系列, BSC072N04LDATMA1

批量定价选项

相关链接