制造商编号

Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=212 A, 8针, tsdson -8 fl, BSZ系列

RS 库存编号:: 241-9884
制造商零件编号:: BSZ011NE2LS5IATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=212 A, 8针, tsdson -8 fl, BSZ系列

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RS 库存编号:: 241-9884
制造商零件编号:: BSZ011NE2LS5IATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	212A
	最大漏源电压 Vd	40V
	包装类型	tsdson -8 fl
	系列	BSZ
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.7mΩ
	通道模式	N
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	81W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	正向电压 Vf	1V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 212A
	最大漏源电压 Vd 40V
	包装类型 tsdson -8 fl
	系列 BSZ
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.7mΩ
	通道模式 N
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 81W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	正向电压 Vf 1V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - BSZ011NE2LS5IATMA1

Infineon OptiMOS 5 功率晶体管是一款 N 通道 MOSFET，经优化可用于高性能降压变换器。符合 IEC61249-2-21 无卤素标准。

单片集成类肖特基二极管

超低导通电阻

无铅引线电镀，符合 RoHS 标准

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