Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 253 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, IQE006NE2LM5ATMA1, IQE系列
- RS 库存编号:
- 242-0305
- 制造商零件编号:
- IQE006NE2LM5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
¥26.54
(不含税)
¥30.00
(含税)
有库存
- 另外 4,916 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB13.27 | RMB26.54 |
| 10 - 98 | RMB12.985 | RMB25.97 |
| 100 - 248 | RMB12.70 | RMB25.40 |
| 250 - 498 | RMB12.415 | RMB24.83 |
| 500 + | RMB12.14 | RMB24.28 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 242-0305
- 制造商零件编号:
- IQE006NE2LM5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 253A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 系列 | IQE | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.2mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.73V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 253A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PQFN | ||
系列 IQE | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.2mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.73V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 3.3mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS 5 功率晶体管是一款 N 通道 MOSFET，其具超低导通电阻。经认证完全符合 JEDEC 工业应用标准。
通过 100% 雪崩测试
具有卓越的耐热性