Infineon N沟道MOSFET, Vds=30 V, Id=253 A, 8针, PQFN, IQE系列

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包装方式：
RS 库存编号:
240-6629
制造商零件编号:
IQE008N03LM5CGATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

253A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

PQFN

系列

IQE

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.85mΩ

正向电压 Vf

0.73V

最大功耗 Pd

81W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

16V

最高工作温度

150°C

长度

3.3mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

英飞凌 PQFN 3.3x3.3 封装的 OptiMOSTM 5 30 V 源极底置功能具有 30 V 电压和 0.85 m Ω 的低导通电阻。它具有多种优势，如热能力增强、功率密度大或可改善布局。此外，高效率更、低有源冷却要求和有效的热管理布局都是系统级的优势。

印刷电路板损耗降低

可实现最高功率密度和性能

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