Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 127 A, D2PAK （TO-263）, 贴片安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 242-0968
- 制造商零件编号:
- AUIRFS4310ZTRL
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | RMB24.113 | RMB19,290.40 |
| 1600 - 1600 | RMB23.631 | RMB18,904.80 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 242-0968
- 制造商零件编号:
- AUIRFS4310ZTRL
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 127 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 封装类型 | D2PAK （TO-263） | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 127 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
系列 HEXFET | ||
封装类型 D2PAK （TO-263） | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Infineon 汽车级 100V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET 采用 D2-Pak 封装。最大连续漏电流为 120 A。
先进的工艺技术
超低导通电阻
175°C 工作温度
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