制造商编号

Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=84 A, 3针, TO-220, IPA系列

RS 库存编号:: 242-0983
制造商零件编号:: IPA60R180P7XKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=84 A, 3针, TO-220, IPA系列

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RS 库存编号:: 242-0983
制造商零件编号:: IPA60R180P7XKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	84A
	最大漏源电压 Vd	40V
	包装类型	TO-220
	系列	IPA
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	2.9mΩ
	通道模式	N
	最大功耗 Pd	81W
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 84A
	最大漏源电压 Vd 40V
	包装类型 TO-220
	系列 IPA
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 2.9mΩ
	通道模式 N
	最大功耗 Pd 81W
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - IPA60R180P7XKSA1

Infineon N 通道功率 MOSFET 采用 TO-220-3 封装。最大连续漏电流为 18 A，漏源电压为 600 V。工作温度从 -55 °C 至 175 °C。

通孔插装技术

26 W 功耗

适用于硬和软切式（PFC 和 LLC）拓扑

出色的转换耐用性

显著降低切换和导通损耗。

出色的 ESD 稳定性

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