Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=84 A, 3针, TO-220, IPA系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 管，共 500 件）*

RMB5,847.00

(不含税)

RMB6,607.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 在 2027年4月29日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
Per Tube*
500 - 500RMB11.694RMB5,847.00
1000 - 1000RMB11.46RMB5,730.00
1500 +RMB11.116RMB5,558.00

* 参考价格

RS 库存编号:
242-0987
制造商零件编号:
IPA80R280P7XKSA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

84A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TO-220

系列

IPA

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

2.9mΩ

通道模式

P

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

900mV

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大功耗 Pd

81W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

+150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

Infineon IPA 系列 MOSFET,最大功耗 81W,最大连续漏电流 84A - IPA80R280P7XKSA1


这款 MOSFET 是一款三针 N 通道晶体管,专为表面贴装应用中的电源开关而设计。它旨在处理高连续电流,同时在宽温度范围内运行,适用于需要高效传导和耐热性的严苛电子系统。

特性和优点：


• 超低导通电阻为 2.9mΩ,可减少传导损耗
• 84A 的连续漏电流支持高电流运行
• 漏源电压额定值为 40V,支持中等电压功率级别
• 81W 的功耗可实现持久的热负载处理
• 栅极电荷为 80nC,可实现可预测的开关能量管理
• 正向电压为 0.9V,可最大限度减少导电过程中的电压下降

应用


• 适用于需要低Rds(on)晶体管的电源
• 适用于电机驱动阶段,具有高电流需求
• 用于工业控制系统中的直流-直流转换器
• 可用于电池管理和配电
• 适用于热强环境,温度范围广

为确保安全运行，我应遵守哪些栅极电压限制？


该组件可耐受与源相比高达 20V 的栅极电压。

它在使用过程中能承受哪些极端环境温度?


其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C。

其封装方式对安装方式有何影响?


它采用 TO‐220 封装,配置用于表面安装到散热器或 PCB 上。

它采用哪种类型的传导通道?


它使用 N 型通道以 P 模式操作,用于切换应用。

相关链接