Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=192 A, 8针, PQFN, IRFH系列

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RS 库存编号:
243-9296
制造商零件编号:
IRFH8318TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

192A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

PQFN

系列

IRFH

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.7mΩ

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

81W

正向电压 Vf

1V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon N 通道功率 MOSFET IRFH8318TRPBF 经优化后具有低导通电阻 RDS(on) 和高电流能力。此款器件是对性能和耐用性有着高要求的低频应用的理想之选。全方位面的产品组合，应用广泛，包括直流电机、电池管理系统、变频器和直流对直流转换器。

到印刷电路板的热阻低 (<1.7°C/W)

薄型(<1.2mm)

工业标准引脚输出

兼容现有的表面贴装技术

符合 RoHS 标准，不含铅、溴化物和卤素

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