Infineon N沟道MOSFET, Vds=60 V, Id=85 A, PQFN, HEXFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
257-5818
制造商零件编号:
IRFH7545TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

85A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

PQFN

系列

HEXFET

安装类型

表面

最大漏源电阻 Rd

5.2mΩ

最大功耗 Pd

83W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

73nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

长度

5mm

高度

1.17mm

宽度

6mm

汽车标准

否

Infineon strongIRFET 功率 MOSFET 系列经优化用于低 RDS 和高电流能力。此款器件是对性能和耐用性有着高要求的低频应用的理想之选。全方位面的产品组合，应用广泛，包括直流电机、电池管理系统、变频器和直流对直流转换器。

工业标准表面贴装电源封装

产品符合 JEDEC 标准

针对以下开关应用对硅进行了优化<100 kHz

与前代硅相比，主体二极管更柔软

提供广泛的产品组合

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