Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=212 A, 8针, SuperSO8 5 x 6, BSZ系列

可享批量折扣
查看批量定价选项

小计(1 包,共 5 件)*

RMB27.23

(不含税)

RMB30.77

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 另外 60 件在 2026年9月28日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。

单位
每单位
每包*
5 - 5RMB5.446RMB27.23
10 - 95RMB5.318RMB26.59
100 - 245RMB5.188RMB25.94
250 - 495RMB5.062RMB25.31
500 +RMB4.942RMB24.71

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
243-9312
制造商零件编号:
BSZ063N04LS6ATMA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

212A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

BSZ

包装类型

SuperSO8 5 x 6

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.7mΩ

通道模式

N

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1V

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大功耗 Pd

81W

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

Infineon BSZ 系列 MOSFET,40V 最大漏源电压,212A 最大连续漏电流 - BSZ063N04LS6ATMA1


这款 MOSFET 是一款 N 通道功率晶体管,专为紧凑型表面贴装组件中的高电流开关而设计。它可在宽环境温度范围内运行,适用于需要低传导损耗和大量连续电流处理的应用,采用小型封装,同时符合 RoHS 指令。

特性和优点:


• 0.7mΩ 低导通电阻可降低传导损耗
• 212A 连续漏电流,可处理大电流
• 81W 功耗支持高功率开关
• 40V 漏源额定值支持中等电压应用
• 80nC 典型栅极电荷可实现可预测的开关控制
• 20V 栅极-源极限支持标准栅极驱动电压

应用


• 适用于紧凑型电源中的高电流直流-直流转换器
• 适用于服务器电源导轨中的同步整流
• 适用于需要坚固表面贴装开关的电机驱动器
• 可用于高负载环境中的电池管理系统
• 适用于低传导损耗的功率级

它在 PCB 组装时使用哪种安装方式?


它采用 8 针 SuperSO8 5x6 SMD 封装,适用于表面安装。

它在运行过程中可承受的热量范围是多少?


它的额定工作温度范围为 -55°C 至 175°C,无需更改规格。

栅极驱动对开关性能有何影响?


典型栅极电荷为 80nC,可确定目标开关速度所需的驱动电流。

它是否适合汽车规格要求?


它没有汽车标准指定,应根据车辆认证需求进行评估。

设计人员应遵守栅极电压的限制?


栅极源电压不得超过 20V,以避免设备压力。

相关链接