Infineon N沟道MOSFET, Vds=60 V, Id=212 A, 8针, SuperSO8 5 x 6, BSZ系列

RS 库存编号:: 241-9681
制造商零件编号:: BSZ040N06LS5ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=60 V, Id=212 A, 8针, SuperSO8 5 x 6, BSZ系列

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 包，共 5 件）*

RMB60.62

(不含税)

RMB68.50

另外 6,860 件在 2026年9月28日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	每包*
5 - 5	RMB12.124	RMB60.62
10 - 95	RMB11.828	RMB59.14
100 - 245	RMB11.546	RMB57.73
250 - 495	RMB11.274	RMB56.37
500 +	RMB11.006	RMB55.03

* 参考价格

RS 库存编号:: 241-9681
制造商零件编号:: BSZ040N06LS5ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	212A
	最大漏源电压 Vd	60V
	系列	BSZ
	包装类型	SuperSO8 5 x 6
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.7mΩ
	通道模式	N
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	81W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	正向电压 Vf	1.2V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	+150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 212A
	最大漏源电压 Vd 60V
	系列 BSZ
	包装类型 SuperSO8 5 x 6
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.7mΩ
	通道模式 N
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 81W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	正向电压 Vf 1.2V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 +150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - BSZ040N06LS5ATMA1

Infineon BSZ 系列 MOSFET,最大漏源电压 60V,最大连续漏电流 212A - BSZ040N06LS5ATMA1

这款 MOSFET 是一款高电流 N 通道晶体管,专为表面贴装功率转换和开关应用而设计。它可在扩展的环境温度范围内工作,适用于在紧凑封装中需要低传导损耗和大量连续漏电流的设计。

特性和优点：

• 0.7mΩ Rds(on)可减少高电流运行期间的传导损耗
• 212A 持续漏极电流，支持大电流负载
• 81W 最大功耗可在工作周期内管理热应力
• 1.2V 正向电压可提高同步电路效率
• 80nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关行为
• 20V 栅极保护有助于防止过度的栅极应力

应用

• 适用于高电流电源转换模块
• 适用于直流-直流同步降压转换器
• 用于需要大排放电流的电机驱动级
• 可用于服务器配电装置
• 适用于电源中的一般表面贴装开关

它在运行过程中可承受的热量范围是多少？

它可在 -55°C 至 +150°C 的宽环境范围内运行。

它采用哪种封装和安装方式?

它采用紧凑型 SuperSO8 5x6 封装,适用于表面安装。

漏极和源极之间适用的电压限制是什么?

它可承受的最大漏极至源极电压为 60V。

栅极如何承受输入瞬变?

该设备将栅极偏移限制在最大栅极至源极电压为 20V。

它是否符合常见的环境限制要求?

经认证符合 RoHS 要求。