Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=80 A, 8针, SuperSO8 5 x 6, IAUC系列

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包装方式：
RS 库存编号:
243-9317
制造商零件编号:
IAUC80N04S6N036ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

80A

最大漏源电压 Vd

20V

系列

IAUC

包装类型

SuperSO8 5 x 6

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.4mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

81W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.1V

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon IAUC 系列 MOSFET,20V 最大漏源电压,80A 最大连续漏电流 - IAUC80N04S6N036ATMA1


这款 MOSFET 是一款功率开关晶体管,专为恶劣环境中的高电流表面贴装应用而设计。它可用作 N 通道增强装置,适用于需要高温和稳健电流处理的热和电气应用。该组件通过了 RoHS 认证,并符合汽车认证标准,适用于严苛的车辆电子设备。

特性和优点：


• 最大连续漏电流为 80 A,可实现高电流输送
• 极低的 RDS(on) 1.4mΩ 可减少传导损耗
• 最大功耗 81 W,支持重型开关负载
• 栅极电荷 Qg 80 nC 可满足可预测的驱动需求
• 最大 VDS 20 V 允许低压系统集成

应用


• 适用于汽车系统中的直流-直流转换器级别
• 与电动车辆的电源管理模块配合使用
• 适用于辅助系统中的电机驱动MOSFET级
• 可用于电池保护和配电

为实现高效开关，需要考虑哪些栅极驱动因素？


预期典型总栅极电荷为 80 nC,因此栅极驱动器必须提供和吸收足够的电流,以实现所需的开关速度,同时管理开关损耗。

热范围对车辆电子设备的部署有何影响?


该设备支持在 -55°C 至 175°C 温度范围内运行,可在发热组件附近和发动机槽环境条件下放置。

电路布局有哪些安装和封装限制?


它采用 SuperSO8 5x6 表面贴装封装,配备八个引脚,需要与该封装类型一致的 PCB 封装和热管理。

设计人员应遵守哪些电压和极性限制?


该设备的最大栅极至源极电压为 20 V,最大漏极至源极电压为 20 V,因此系统电压必须保持在这些限制范围内。

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