Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 120 A, SuperSO8 5 x 6, 表面安装, 8引脚, IAUC120N04S6N006ATMA1, IAUC系列

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249-6882
制造商零件编号:
IAUC120N04S6N006ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

120A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

IAUC

包装类型

SuperSO8 5 x 6

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.4mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

81W

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

正向电压 Vf

1.3V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon OptiMOS 是用于汽车应用的功率 MOSFET。工作沟道为 N。符合 AEC Q101 标准。MSL1 峰值回焊温度达 260 °C。绿色产品(符合 RoHS),100% 雪崩测试。

工作温度 175 ℃