制造商编号

Infineon N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=180 A, 3针, TO-252, IPD系列

RS 库存编号:: 244-0883
制造商零件编号:: IPD95R750P7ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=180 A, 3针, TO-252, IPD系列

查看所有MOSFET

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 包，共 2 件）*

RMB30.64

(不含税)

RMB34.62

(含税)

有库存

另外 2,332 件在 2026年9月14日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	每包*
2 - 8	RMB15.32	RMB30.64
10 - 98	RMB14.955	RMB29.91
100 - 248	RMB14.59	RMB29.18
250 - 498	RMB14.245	RMB28.49
500 +	RMB13.905	RMB27.81

* 参考价格

RS 库存编号:: 244-0883
制造商零件编号:: IPD95R750P7ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	180A
	最大漏源电压 Vd	100V
	系列	IPD
	包装类型	TO-252
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.7mΩ
	通道模式	N
	最大功耗 Pd	81W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	0.9V
	最高工作温度	+150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 180A
	最大漏源电压 Vd 100V
	系列 IPD
	包装类型 TO-252
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.7mΩ
	通道模式 N
	最大功耗 Pd 81W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 0.9V
	最高工作温度 +150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IPD95R750P7ATMA1

Infineon MOSFET 950V CoolMOS P7 系列在 950V 超结技术方面树立了新的标杆，并将同类最优性能与一流的易用性结合在一起，这是 Infineon 18 年来引领超结技术创新的结果。

同类最优 FOM RDS（导通） * Eoss

同类最优 DPAK RDS（导通）

同类最优 V(GS) 3V

完全优化的产品组合

集成齐纳二极管 ESD 保护

相关链接