Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 120 A, TO-263, 表面安装, 8引脚, IAUT300N08S5N014ATMA1, IAUT系列
- RS 库存编号:
- 244-0893
- 制造商零件编号:
- IAUT300N08S5N014ATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥33.73
(不含税)
¥38.11
(含税)
有库存
- 3,985 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB33.73 |
| 10 - 99 | RMB32.92 |
| 100 - 249 | RMB32.13 |
| 250 - 499 | RMB31.35 |
| 500 + | RMB30.61 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-0893
- 制造商零件编号:
- IAUT300N08S5N014ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 120A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | IAUT | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 81W | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 120A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 IAUT | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 81W | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon MOSFET IAUT300N08S5N014ATMA1 专为汽车应用设计，这种 HEXFET® Power MOSFET 的蜂窝状平面设计利用最新的处理技术来实现每硅面积的低导通电阻。
N 通道 - 增强模式
AEC 认证
MSL1 高达 260°C 峰值回流
175°C 工作温度