Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 120 A, TO-263, 表面安装, 8引脚, IAUT300N08S5N014ATMA1, IAUT系列

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244-0893
制造商零件编号:
IAUT300N08S5N014ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

120A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

IAUT

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.4mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.1V

最大功耗 Pd

81W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon MOSFET IAUT300N08S5N014ATMA1 专为汽车应用设计,这种 HEXFET® Power MOSFET 的蜂窝状平面设计利用最新的处理技术来实现每硅面积的低导通电阻。

N 通道 - 增强模式

AEC 认证

MSL1 高达 260°C 峰值回流

175°C 工作温度