Infineon N沟道MOSFET, Vds=800 V, Id=400 A, 8针, TO-263, IPT系列

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包装方式：
RS 库存编号:
244-0907
制造商零件编号:
IPT026N10N5ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

400A

最大漏源电压 Vd

800V

系列

IPT

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.2mΩ

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

81W

正向电压 Vf

1V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

采用 TO-Leadless (TOLL) 封装的 Infineon n 沟道 power MOSFET IPT026N10N5 非常适合高开关频率。与 D2PAK 7pin 封装相比，可节省 60% 的空间，TOLL 是需要最高效率、出色的 EMI 性能以及最佳热性能和节省空间的完美解决方案。

非常适合高频开关和同步

出色的栅极电荷 x RDS（导通）产品（FOM）

超低导通电阻 RDS（导通）

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