Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 202 A, D2PAK （TO-263）, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 244-0906
- 制造商零件编号:
- IPT026N10N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | RMB14.371 | RMB28,742.00 |
| 4000 - 4000 | RMB14.084 | RMB28,168.00 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-0906
- 制造商零件编号:
- IPT026N10N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 202 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | D2PAK （TO-263） | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 202 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 D2PAK （TO-263） | ||
安装类型 贴片 | ||
采用 TO-Leadless (TOLL) 封装的 Infineon n 沟道 power MOSFET IPT026N10N5 非常适合高开关频率。与 D2PAK 7pin 封装相比，可节省 60% 的空间，TOLL 是需要最高效率、出色的 EMI 性能以及最佳热性能和节省空间的完美解决方案。
非常适合高频开关和同步
出色的栅极电荷 x RDS（导通）产品（FOM）
超低导通电阻 RDS（导通）
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