Infineon P沟道MOSFET管, Vds=60 V, 300 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 244-2274
- 制造商零件编号:
- ISS17EP06LMXTSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB0.443 | RMB1,329.00 |
| 6000 - 6000 | RMB0.43 | RMB1,290.00 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-2274
- 制造商零件编号:
- ISS17EP06LMXTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 300 mA | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 300 mA | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Infineon P-Channel Power MOSFET 提供设计灵活性和易操作性，以满足最高性能要求，包括 -12V 系列产品，特别适用于电池保护、极性反接保护、线性电池充电器、负载开关、直流-直流转换器和低电压驱动应用。
P 通道
超低导通电阻 RDS（on）
100% 通过崩溃测试
逻辑电平或正常电平
增强型
无铅电镀
超低导通电阻 RDS（on）
100% 通过崩溃测试
逻辑电平或正常电平
增强型
无铅电镀
符合 RoHS 标准
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准