制造商编号

Infineon N沟道MOSFET, Vds=55 V, Id=59 A, 3针, TO-252, AUIRFS系列

RS 库存编号:: 244-2875
制造商零件编号:: AUIRFR2905ZTRL
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=55 V, Id=59 A, 3针, TO-252, AUIRFS系列

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RS 库存编号:: 244-2875
制造商零件编号:: AUIRFR2905ZTRL
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	59A
	最大漏源电压 Vd	55V
	包装类型	TO-252
	系列	AUIRFS
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	3mΩ
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最大功耗 Pd	81W
	正向电压 Vf	1.3V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 59A
	最大漏源电压 Vd 55V
	包装类型 TO-252
	系列 AUIRFS
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 3mΩ
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最大功耗 Pd 81W
	正向电压 Vf 1.3V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - AUIRFR2905ZTRL

Infineon AUIRFR2905ZTRL 专门设计用于汽车应用，此 HEXFET® 功率 MOSFET 利用最新处理技术实现每硅区域极低接通电阻。此设计的其他功能包括 175°C 接点工作温度，快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。这些功能相结合，使此设计成为非常高效和可靠的设备，适用于汽车应用和广泛的其他应用。

先进的工艺技术

超低接通电阻

175°C 工作温度

重复雪崩允许高达 Tjmax

无铅，符合 RoHS 标准

符合汽车要求

Infineon N沟道MOSFET, Vds=55 V, Id=59 A, 3针, TO-252, AUIRFS系列

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