制造商编号

Infineon P型沟道MOSFET, Vds=75 V, Id=230 A, 3针, TO-252, AUIRFS系列

RS 库存编号:: 244-0891
制造商零件编号:: AUIRFR5305TR
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道MOSFET, Vds=75 V, Id=230 A, 3针, TO-252, AUIRFS系列

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RS 库存编号:: 244-0891
制造商零件编号:: AUIRFR5305TR
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	230A
	最大漏源电压 Vd	75V
	包装类型	TO-252
	系列	AUIRFS
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	3mΩ
	正向电压 Vf	1.3V
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	81W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 230A
	最大漏源电压 Vd 75V
	包装类型 TO-252
	系列 AUIRFS
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 3mΩ
	正向电压 Vf 1.3V
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 81W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - AUIRFR5305TR

Infineon MOSFET 专为汽车应用设计，这种 HEXFET® Power MOSFET 的蜂窝状平面设计利用最新的处理技术来实现每硅面积的低导通电阻。

先进的平面技术

低导通电阻

动态 dv/dt 额定值

175°C 工作温度

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