ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 10.7 A, HSOP-8, 8引脚, RS1P600BH系列

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包装方式:
RS 库存编号:
246-3957P
制造商零件编号:
RS1P600BHTB1
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

10.7A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

HSOP-8

系列

RS1P600BH

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

2.7mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

81W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

32nC

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

ROHM N 沟道功率 MOSFET 采用小型表面安装封装,可用于初级侧开关,电动机驱动器和直流 / 直流转换器应用。

低接通电阻

小型表面安装封装

无铅电镀

符合 RoHS

无卤素

经过 100% Rg 和 UIS 测试