DiodesZetex , 2 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=60 V, US, 表面安装, 6引脚
- RS Stock No.:
- 246-6815
- Mfr. Part No.:
- DMN61D9UDWQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
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- DMN61D9UDWQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | US | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.5Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 0.37W | |
| 正向电压 Vf | 1.4V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 US | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.5Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 0.37W | ||
正向电压 Vf 1.4V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.6nC | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
DiodesZetex 生产的双 N 通道增强模式 MOSFET，设计用于满足汽车应用的严格要求。它是一种绿色设备，完全无铅、卤素和抗锌。此 MOSFET 采用 SOT363 封装。它提供快速切换和高效率。
最大排放到源电压为 60 V，最大门到源电压为 ±20 V，它提供超小封装尺寸，具有低输入/输出泄漏