DiodesZetex N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 170 A, PowerDI5060-8., 表面安装, 8引脚
- RS Stock No.:
- 246-6898
- Mfr. Part No.:
- DMTH32M5LPSQ-13
- Brand:
- DiodesZetex
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- RS Stock No.:
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- Mfr. Part No.:
- DMTH32M5LPSQ-13
- Brand:
- DiodesZetex
Specifications
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 170A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PowerDI5060-8. | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0032Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 1.73W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 170A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PowerDI5060-8. | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0032Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 8 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 1.73W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
DiodesZetex 制造 N 通道增强模式 MOSFET,设计用于满足汽车应用的严格要求。它是一种绿色设备,完全无铅、卤素和抗锌。此 MOSFET 采用 powerDI5060-8 封装。它提供快速切换和高效率。额定值为 +175°C,特别适用于高环境温度环境。其 100% 无夹电感切换可确保更可靠且坚固的终端应用。小于 1.1 mm 的封装尺寸使其特别适用于薄型应用。
最大排放到源电压为 30 V,最大门到源电压为 ±16 V,它提供低接通电阻和高 BVDSS 额定值,适用于电源应用,它提供低输入电容
