DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 22 A, PowerDI5060-8, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 246-6906
- 制造商零件编号:
- DMTH43M8LPSQ-13
- 制造商:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 246-6906
- 制造商零件编号:
- DMTH43M8LPSQ-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 22 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 封装类型 | PowerDI5060-8 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.005 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 22 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
封装类型 PowerDI5060-8 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 0.005 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.5V | ||
DiodesZetex 是 N 通道增强模式 MOSFET，设计用于最大程度地减少接通状态电阻 （RDS（ON）），同时保持出色的切换性能，使其特别适用于高效率电源管理应用。它是一种绿色设备，完全无铅、卤素和抗锌。此 MOSFET 采用 powerDI5060-8 封装。它提供快速切换和高效率。额定值为 +175°C，特别适用于高环境温度环境。其 100% 无夹电感切换可确保更可靠且坚固的终端应用。
最大排放到源电压为 40 V，最大门到源电压为 ±20 V，提供低接通电阻，具有 高 BVDSS 额定值，适用于电源应用，提供低输入电容