制造商编号

DiodesZetex N型, P型沟道增强型 MOSFET, Vds=60 V, SOIC, 表面安装, 8引脚, DMHC6070LSD-13

RS 库存编号:: 246-7504
制造商零件编号:: DMHC6070LSD-13
制造商:: DiodesZetex

DiodesZetex N型, P型沟道增强型 MOSFET, Vds=60 V, SOIC, 表面安装, 8引脚, DMHC6070LSD-13

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RS 库存编号:: 246-7504
制造商零件编号:: DMHC6070LSD-13
制造商:: DiodesZetex

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	DiodesZetex
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型, P型
	最大漏源电压 Vd	60V
	包装类型	SOIC
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.25Ω
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.2V
	最大功耗 Pd	1.6W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	11.5nC
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 DiodesZetex
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型, P型
	最大漏源电压 Vd 60V
	包装类型 SOIC
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.25Ω
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.2V
	最大功耗 Pd 1.6W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11.5nC
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - DMHC6070LSD-13

DiodesZetex 是新一代互补 MOSFET H 型桥接，具有低接通电阻，可在低门驱动下实现。它是一种绿色设备，完全无铅、卤素和抗锌。此 MOSFET 采用 SO-8 封装。它提供快速切换和低输入电容。工作温度范围 -55°C 至 +150°C。

最大排放到源电压为 60 V，最大门到源电压为 ±20 V 2 个 N 通道和 2 个 P 通道，采用 SOIC 封装，可提供低接通电阻

DiodesZetex N型, P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, SOIC, 表面安装, 8引脚, DMHC6070LSD-13

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