DiodesZetex N型, P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, SOIC, 表面安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 246-6781
- 制造商零件编号:
- DMHC6070LSD-13
- 制造商:
- DiodesZetex
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- RS 库存编号:
- 246-6781
- 制造商零件编号:
- DMHC6070LSD-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型, P型 | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.25Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 1.6W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 11.5nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型, P型 | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SOIC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.25Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 1.6W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11.5nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
DiodesZetex 是新一代互补 MOSFET H 型桥接，具有低接通电阻，可在低门驱动下实现。它是一种绿色设备，完全无铅、卤素和抗锌。此 MOSFET 采用 SO-8 封装。它提供快速切换和低输入电容。工作温度范围 -55°C 至 +150°C。
最大排放到源电压为 60 V，最大门到源电压为 ±20 V 2 个 N 通道和 2 个 P 通道，采用 SOIC 封装，可提供低接通电阻