DiodesZetex , 2 N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, UDFN-2020, 表面安装, 6引脚, DMN10H6D2LFDB-7
- RS 库存编号:
- 246-7507
- 制造商零件编号:
- DMN10H6D2LFDB-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB1.089 | RMB27.23 |
| 50 - 75 | RMB1.057 | RMB26.43 |
| 100 - 225 | RMB1.025 | RMB25.63 |
| 250 - 975 | RMB0.994 | RMB24.85 |
| 1000 + | RMB0.964 | RMB24.10 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 246-7507
- 制造商零件编号:
- DMN10H6D2LFDB-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | UDFN-2020 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 10Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 0.7W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1.2nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 UDFN-2020 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 10Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 0.7W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.2nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
DiodesZetex 制造 N 通道增强模式 MOSFET，设计用于最大程度地减少接通状态电阻 （RDS（ON）），同时保持出色的切换性能，使其特别适用于高效电源管理应用。它是一种绿色设备，完全无铅、卤素和抗锌。此 MOSFET 采用 U-DFN2020-6 封装。它提供快速切换和高效率。它提供 ESD 保护门（高达 1kV）。
最大排放到源电压为 100 V，最大门到源电压为 ±20 V，可提供低门临界电压，可提供低输入电容