STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=12 V, 55 A, PowerFLAT, 通孔安装, 8引脚, STL325N4LF8AG, STL系列
- RS 库存编号:
- 248-4901
- 制造商零件编号:
- STL325N4LF8AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB19.00 | RMB38.00 |
| 10 - 98 | RMB18.425 | RMB36.85 |
| 100 - 248 | RMB17.875 | RMB35.75 |
| 250 - 498 | RMB17.34 | RMB34.68 |
| 500 + | RMB16.815 | RMB33.63 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 248-4901
- 制造商零件编号:
- STL325N4LF8AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 55A | |
| 最大漏源电压 Vd | 12V | |
| 包装类型 | PowerFLAT | |
| 系列 | STL | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 45mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 188W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 41nC | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 4.9 mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 长度 | 6mm | |
| 标准/认证 | UL | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 55A | ||
最大漏源电压 Vd 12V | ||
包装类型 PowerFLAT | ||
系列 STL | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 45mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 188W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 41nC | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 4.9 mm | ||
高度 1mm | ||
长度 6mm | ||
标准/认证 UL | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
这款意法半导体 N 通道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术，具有增强型槽栅结构。可确保非常低的接通状态电阻，同时减少内部电容和栅电荷，从而提高切换效率。
用于切换应用
MSL 1 级
AEC-Q101 认证
175 ℃ 工作温度
100% 雪崩测试
可润湿侧翼封装