ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 10.7 A, TO-263, 3引脚, RCJ451N20系列

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249-1132
制造商零件编号:
RCJ451N20TL
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

10.7A

最大漏源电压 Vd

200V

包装类型

TO-263

系列

RCJ451N20

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

2.7mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大栅源电压 Vgs

30 V

最大功耗 Pd

104W

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

ROHM N 沟道功率 MOSFET 具有低接通电阻和快速切换速度,适用于开关应用,具有 200 V 漏 - 源电压和 45 A 漏极电流,封装类型为胶带。

低接通电阻

快速切换速度

易于并行使用

无铅电镀

符合 RoHs

经过 100% 雪崩测试

可简单驱动电路

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。