ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=10.7 A, 7针, HEML1616L7, RW4E065GN系列
- RS 库存编号:
- 249-1136
- 制造商零件编号:
- RW4E065GNTCL1
- 制造商:
- ROHM
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- 制造商零件编号:
- RW4E065GNTCL1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | RW4E065GN | |
| 包装类型 | HEML1616L7 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4.3nC | |
| 最大功耗 Pd | 104W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 10.7A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 RW4E065GN | ||
包装类型 HEML1616L7 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.3nC | ||
最大功耗 Pd 104W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM N 沟道功率 MOSFET 具有低接通电阻和快速切换速度，适用于开关应用，具有 30 V 漏 - 源电压和 6.5 A 漏极电流，封装类型为胶带。
低接通电阻
无铅电镀
符合 RoHS
无卤素
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