ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 10.7 A, HEML1616L7, 7引脚, RW4E065GNTCL1, RW4E065GN系列

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RS 库存编号:
249-1136
制造商零件编号:
RW4E065GNTCL1
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

10.7A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

RW4E065GN

包装类型

HEML1616L7

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

2.7mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

30 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

4.3nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

104W

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

ROHM N 沟道功率 MOSFET 具有低接通电阻和快速切换速度,适用于开关应用,具有 30 V 漏 - 源电压和 6.5 A 漏极电流,封装类型为胶带。

低接通电阻

无铅电镀

符合 RoHS

无卤素