Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=40 A, 4针, TO-220, E系列

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RS 库存编号:
134-9709
制造商零件编号:
SIHP065N60E-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

40A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

E

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

65mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

250W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

49nC

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

30V

最高工作温度

150°C

长度

10.51mm

标准/认证

No

宽度

4.65mm

高度

15.49mm

汽车标准

否

N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay Semiconductor


Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。

特点


低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg

低输入电容 (Ciss)

低接通电阻（RDS（接通））

超低栅极电荷 (Qg)

快速切换

减少切换和传导损耗

MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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